Comparison of Total-Ionizing-Dose Effects in Bulk and SOI FinFETs at 90 and 295 K. - Haeffner, T. D.; Keller, R. F.; Jiang, R.; Sierawski, B. D.; Mccurdy, M. W.; Zhang, E. X.; Mohammed, R. W.; Ball, D. R.; Alles, M. L.; Reed, R. A.; Schrimpf, R. D.; Fleetwood, D. M. (IEEE Transactions on Nuclear Science, 2019)