Innovative Nitride Passivated Pseudomorphic GaAs HEMTs. - Chou, Y.C.; Lai, R.; Li, G.P.; Jun Hua; Nam, P.; Grundbacher, R.; Kim, H.K.; Ra, Y.; Biedenbender, M.; Ahlers, E.; Barsky, M.; Oki, A.; et al. (IEEE Electron Device Letters, 2003)