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Fall D; IEMN-DOAE (UMR CNRS 8520), Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie, Département d'Opto-Acousto-Electronique, Université de Valenciennes, 59313 Valenciennes, France., Compoint F; CEA, DAM, Le Ripault, F-37260 Monts, France., Duquennoy M; IEMN-DOAE (UMR CNRS 8520), Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie, Département d'Opto-Acousto-Electronique, Université de Valenciennes, 59313 Valenciennes, France., Piombini H; CEA, DAM, Le Ripault, F-37260 Monts, France., Ouaftouh M; IEMN-DOAE (UMR CNRS 8520), Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie, Département d'Opto-Acousto-Electronique, Université de Valenciennes, 59313 Valenciennes, France., Jenot F; IEMN-DOAE (UMR CNRS 8520), Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie, Département d'Opto-Acousto-Electronique, Université de Valenciennes, 59313 Valenciennes, France., Piwakowski B; IEMN-DOAE (UMR CNRS 8520), Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie, Département d'Opto-Acousto-Electronique, Université de Valenciennes, 59313 Valenciennes, France., Belleville P; CEA, DAM, Le Ripault, F-37260 Monts, France., Ambard C; CEA, DAM, Le Ripault, F-37260 Monts, France. |