Sn 掺杂β-Ga2O3及其与本征空位缺陷复合结构的第一性原理研究.

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Bibliographic Details
Title:	Sn 掺杂β-Ga2O3及其与本征空位缺陷复合结构的第一性原理研究.
Alternate Title:	First-Principles Study on Sn-Doped β-Ga2O3 and Its Composite Structures with Intrinsic Vacancy Defect.
Authors:	余博文¹, 李琪^1,2, 邢玉芳¹, 赵昊¹, 林娜¹, 赵显², 陶绪堂¹, 贾志泰¹
Source:	Journal of Synthetic Crystals. May2026, Vol. 55 Issue 5, p763-771. 9p.
Database:	Academic Search Ultimate

Description
ISSN:	1000985X
DOI:	10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2026.0006

Sn 掺杂β-Ga2O3及其与本征空位缺陷复合结构的 第一性原理研究.